一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池三层复合钝化减反层，其特征在于，在硅太阳能电池基底上用原子层沉积方法制备一种三层复合钝化减反层，三层复合钝化减反层的结构从基底自下而上，分别为二氧化钛（TiO₂）层、二氧化钛/二氧化硅（TiO₂ /SiO₂）层、二氧化硅（SiO₂） 层。本发明还涉及一种太阳能电池三层复合钝化减反层的制备方法。本发明能够同时起到减反与钝化的作用，一方面降低了太阳能电池表面的反射率，另一方面也能减少载流子复合，提高电池性能，同时通过过渡层的引入，能够进一步提高减反、钝化作用。

主权项

一种太阳能电池三层复合钝化减反层的制备方法，所述太阳能电池三层复合钝化减反层，在硅太阳能电池基底上用原子层沉积方法制备一种三层复合钝化减反层，三层复合钝化减反层的结构从基底自下而上，分别为二氧化钛（TiO₂）层、二氧化钛/二氧化硅（TiO₂ /SiO₂）层、二氧化硅（SiO₂） 层 ；所述三层复合钝化减反层厚度为75～120nm ，二氧化钛层厚度为30～50nm，二氧化钛/二氧化硅层厚度为10～20nm，二氧化硅层厚度为40～60nm；其特征在于包括以下步骤：（1）将太阳能电池硅片衬底预处理并放入原子层沉积反应室，将反应室工作气压调至500Pa～1500Pa，或工作气压1000Pa；（2）将反应室温度加热至200℃～400℃，或200℃～250℃，利用水和四氯化钛（TiCl₄）为前驱源，沉积二氧化钛层；（3）将反应室温度加热至200℃～400℃，或250℃～300℃，利用四氯化钛为钛前驱源，利用四氯化硅（SiCl₄），或六氯二硅烷（Si₂Cl₆）为硅前驱源，利用水为反应气体制备二氧化钛/二氧化硅复合层；（4）将反应室温度加热至200℃～400℃，或300℃～350℃，利用四氯化硅或六氯二硅烷为S硅前驱源，利用水为反应气体，沉积二氧化硅层。