一种改进硅微通道板表面形貌的方法

摘要

本发明公开了一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小的圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO₂层和100～200nm的Si₃N₄层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧‑湿氧‑干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900‑1100℃，干氧的时间控制在15‑20分钟，湿氧的时间控制在40‑90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。本发明具有以下有益效果：解决了采取氧化工艺制作绝缘层，由于表面属于自由端，在氧化过程中由于竞争机制，出现交叉处凸起这种使表面凹凸不平的问题。本发明所采用的氧化方法形成绝缘层的工艺，其成品率可以达到80％。

主权项

一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO₂层和100～200nm的Si₃N₄层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧‑湿氧‑干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900‑1100℃，每次干氧的时间控制在15‑20分钟，湿氧的时间控制在40‑90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。