一种中空结构熔断器的制造方法

摘要

本发明提供了一种中空结构熔断器的制造方法，包括如下步骤：A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个连接体之间；金属部和导电体形成待切割部；B、分别整板注塑形成上盖板和下盖板，上盖板和/或下盖板具有大凹槽，上盖板的大凹槽和/或下盖板的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，相邻的大凹槽在至少一个方向上设有具有通透分割区；C、将待切割部放置于上盖板和下盖板组成的壳体中，并整板粘合上盖板和下盖板，连接体横跨小凹槽且导电体悬挂在大凹槽组成的空腔中；D、沿通透分割区切割上盖板和下盖板，并将位于壳体外的待切割部弯折形成外电极。

主权项

一种中空结构熔断器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，所述金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个所述连接体之间；所述金属部和所述导电体形成待切割部；B、通过注塑模具分别整板注塑形成上盖板和下盖板，所述上盖板和/或所述下盖板具有大凹槽，所述上盖板的大凹槽和/或所述下盖板的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述相邻的大凹槽在至少一个方向上设有具有通透分割区；C、将所述待切割部放置于所述上盖板和所述下盖板组成的壳体中，并整板粘合所述上盖板和所述下盖板，所述连接体横跨所述小凹槽且所述导电体悬挂在所述大凹槽组成的空腔中；D、沿所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切割部弯折形成外电极；所述D步骤包括：D1、沿所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板；D2、将位于所述壳体外的待切割部整板弯折形成外电极；D3、沿与D1中的方向相垂直的方向分割所述上盖板和所述下盖板，形成单个熔断器；所述D3步骤为沿与D1中的方向相垂直的方向锣边或切割所述上盖板和所述下盖板及对应位置处的待切割部，形成单个熔断器。