发明名称 |
一种金属离子掺杂的TiO<sub>2</sub>光阳极的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金属离子掺杂的TiO<sub>2</sub>光阳极的制备方法,包括如下步骤:S1,首先对FTO导电玻璃基底进行清洗及初步处理;S2,在FTO导电玻璃基底的导电面上进行刮凃操作,从而将致密层的TiO<sub>2</sub>浆料刮凃在FTO导电玻璃基底的导电面形成致密层,所述致密层中的TiO<sub>2</sub>颗粒掺杂有Nb元素;S3,将所述致密层进行干燥,然后将散射层的TiO<sub>2</sub>浆料在所述致密层表面进行刮凃操作形成散射层且对所述散射层进行干燥,然后对该样品进行煅烧,所述散射层中的TiO<sub>2</sub>颗粒掺杂有Nb元素;S4,将刮凃有致密层和散射层的样品进行敏化处理。本发明通过对光阳极的分等级结构的设计,以及通过掺杂来改变带隙,从而优化光电器件性能。 |
申请公布号 |
CN105957718A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201610509739.4 |
申请日期 |
2016.06.28 |
申请人 |
郑州大学 |
发明人 |
范佳杰;刘永强;黄浩;仝可蒙;李珍珍;冉慧丽 |
分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 |
厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 |
代理人 |
杨唯 |
主权项 |
一种金属离子掺杂的TiO<sub>2</sub>光阳极的制备方法,包括如下步骤:S1,首先对FTO导电玻璃基底进行清洗及初步处理;S2,在FTO导电玻璃基底的导电面上进行刮凃操作,从而将致密层的TiO<sub>2</sub>浆料刮凃在FTO导电玻璃基底的导电面形成致密层,所述致密层中的TiO<sub>2</sub>颗粒掺杂有Nb元素;S3,将所述致密层进行干燥,然后将散射层的TiO<sub>2</sub>浆料在所述致密层表面进行刮凃操作形成散射层且对所述散射层进行干燥,然后对该样品进行煅烧,所述散射层中的TiO<sub>2</sub>颗粒掺杂有Nb元素;S4,将刮凃有致密层和散射层的样品进行敏化处理。 |
地址 |
450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号 |