存储结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底的上表面形成交叠层，所述交叠层包括自下至上依次沉积多层交错堆叠的隔离层和刻蚀层；部分刻蚀所述交叠层和基底，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出；去除剩余的所述刻蚀层；在多层所述隔离层之间形成金属栅。本发明通过一定的刻蚀工艺，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出，从而使得在后续所述金属栅的形成过程中，很容易实现相邻层的所述金属栅和金属栅的分离工艺，且能够防止所述金属栅之间的短接。

主权项

一种存储结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底的上表面形成交叠层，所述交叠层包括自下至上依次沉积多层交错堆叠的隔离层和刻蚀层；部分刻蚀所述交叠层和基底，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出；去除剩余的所述刻蚀层；在多层所述隔离层之间形成金属栅。