| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，该薄膜晶体管包括相互绝缘的栅电极和有源层以及与有源层分别电性连接的源电极和漏电极；其中，漏电极包围源电极，漏电极与源电极之间形成闭合的沟道，这样，可以增大沟道的宽长比，从而可以在沟道的宽长比一定时，相应减小薄膜晶体管的占用面积，增大显示面板的开口率，进而可以在显示面板显示相同亮度的情况下，相应降低显示面板的功耗；并且，由于源电极在由栅电极、栅绝缘层和有源层形成的台阶处的形状并非一条细线，因此，在刻蚀形成源电极的图形时不会出现源电极发生断裂或部分断裂的问题，从而可以避免影响显示面板的正常显示。 | ||
| 申请公布号 | CN105957883A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610325724.2 | 申请日期 | 2016.05.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 周厚峰;黄中浩;高坤坤;毕鑫;赵永亮 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：相互绝缘的栅电极和有源层，以及与所述有源层分别电性连接的源电极和漏电极；其特征在于：所述漏电极包围所述源电极，所述漏电极与所述源电极之间形成闭合的沟道。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||