使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割

摘要

本发明描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导体晶片的区域。然后，蚀刻该半导体晶片通过该图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路。然后，将该图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

主权项

一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片具有正面以及与所述正面相对的背面，在所述正面上包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：形成最外侧遮罩于所述半导体晶片的正面，所述最外侧遮罩覆盖且保护这些集成电路；以激光刻划工艺将所述最外侧遮罩与所述半导体晶片的一部分予以图案化，以提供图案化最外侧遮罩和在所述半导体晶片部分地形成但不穿透所述半导体晶片的沟槽，所述沟槽形成在所述集成电路之间且各所述沟槽具有预定宽度；暴露所述图案化最外侧遮罩并通过所述沟槽来等离子体蚀刻所述半导体晶片，以形成相应沟槽延伸并形成单一化集成电路，各所述相应沟槽延伸具有所述预定宽度；及将所述图案化最外侧遮罩从这些单一化集成电路分离。