发明名称 |
一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 |
摘要 |
一种双通道宽光谱探测器及其制备方法,该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构,所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层,其中,在上电极接触层顶部形成上台面,在中电极接触层形成有中台面,在下电极接触层形成有下台面,上电极、中电极和底电极,分别设置于上台面、中台面和下台面上,分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接,该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。 |
申请公布号 |
CN105957918A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201610518156.8 |
申请日期 |
2016.07.04 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川 |
分类号 |
H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/11(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种双通道宽光谱探测器,其特征在于,包括:衬底(1);台体结构,包括:依次层叠于衬底(1)上的下电极接触层(2)、第一吸收层(3)、中电极接触层(4)、隔离层(5)、第二吸收层(6)、上电极接触层(7),其中,在上电极接触层(7)顶部形成上台面,在中电极接触层(4)形成有中台面,在下电极接触层(2)形成有下台面;上电极(8)、中电极(9)和底电极(10),分别设置于所述上台面、中台面和下台面上,与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |