一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层，该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面，结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器，在外加电场作用下，其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件，且便于插取，该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单，成本低，具有重要的应用价值。

主权项

一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层；所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。