发明名称 |
一种高压方波发生器实现方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高压方波发生器实现方法,所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块;所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路;所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串;所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接。所述实现方法包括:(1)高压直流电源对储能电容预充电;(2)触发脉宽调节模块将外触发信号转变为脉宽可调方波信号;(3)控制光耦隔离驱动电路驱动MOSFET导通,对负载快速充电形成上升沿电路;(4)驱动下降沿电路的MOSFET与雪崩管导通,快速截断输出脉冲形成下降沿电路。 |
申请公布号 |
CN103684360B |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201310722316.7 |
申请日期 |
2013.12.24 |
申请人 |
国家电网公司;中国电力科学研究院;江苏省电力公司电力科学研究院;西安交通大学 |
发明人 |
龙兆芝;李文婷;丁卫东;刘少波;任想;乔兵兵 |
分类号 |
H03K3/64(2006.01)I |
主分类号 |
H03K3/64(2006.01)I |
代理机构 |
北京安博达知识产权代理有限公司 11271 |
代理人 |
徐国文 |
主权项 |
一种高压方波发生器,其特征在于,所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步触发模块;所述上升沿电路包括前级MOSFET和光耦隔离驱动电路;所述下降沿电路包括后级MOSFET与雪崩三极管串;所述高压直流源、电阻、储能电容、上升沿电路、触发脉宽调节模块、同步触发模块和下降沿电路依次连接。 |
地址 |
100031 北京市西城区西长安街86号 |