| 发明名称 | 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种II型GaSb/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As‑Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN103820848B | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201410069486.4 | 申请日期 | 2014.02.27 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 何苗;陈虞龙;王禄;石震武;孙庆灵;高优 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人 | 郑莹 |
| 主权项 | 一种<img file="dest_path_image002.GIF" wi="13" he="19" />型GaSb/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子点超晶格材料，其特征在于：其由以下结构组成：第一层为生长在InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第四层为GaSb量子点；所述的第一层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层厚度为3000～5000Å；所述的第二、四层的GaSb量子点厚度均为4～5ML，量子点的密度为3.0～3.5×10<sup>9</sup>cm<sup>−2</sup>，量子点的横向尺寸和高度分别为55～65nm、8～10nm；所述的第三层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层厚度为500～1000Å。 | ||
| 地址 | 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号 | ||