一种基于五元素模型的MOS电容测量方法

摘要

本发明提供一种基于五元素模型的MOS电容测量方法，包括：建立MOS电容的五元素等效电路模型；对MOS电容采用两元素并联模型在两个不同频率下进行C‑V测量并且进行I‑V测量；根据所述五元素等效电路模型以及测量结果提取所述MOS电容的辅助特征方程；根据所述辅助特征方程求解得到所述MOS电容的电容值。本发明方法应用于无色散电介质的MOS结构中，得到的合理的MOS电容并且不随选取的两个频率而变化(即无色散)，其他四个元素也都有合理的数值解，显示出基于五元素模型的MOS电容测量方法的合理性和自洽性。

主权项

一种基于五元素模型的MOS电容测量方法，其特征在于，包括：建立MOS电容的五元素等效电路模型；采用两元素并联模型对所述MOS电容在两个不同频率下进行C‑V测量并且进行I‑V测量；根据所述五元素等效电路模型以及测量结果提取所述MOS电容的辅助特征方程；根据所述辅助特征方程求解得到所述MOS电容的电容值。