发明名称 插层组装氮化硼-石墨烯复合材料、应用及其制备方法
摘要 本发明公开了一种插层组装氮化硼‑石墨烯复合材料、应用及其制备方法,包括石墨烯片层以及插层在石墨烯层之间的六方氮化硼膜层,六方氮化硼膜层在石墨烯原子间层间对石墨烯片层进行连接,形成具有三明治形式的石墨烯/氮化硼的插层结构,石墨烯/氮化硼的插层结构形成热桥,石墨烯片层为纳米片层结构,六方氮化硼膜层为具有单层或少层二维结构的层状六方氮化硼。本发明先将氮化硼插层到氧化石墨烯,再微波热还原氧化石墨烯,得到氮化硼插层石墨烯复合材料。本发明复合材料兼具石墨烯和氮化硼的优点,可作为聚合物材料新型的导热助剂,其优势在于:石墨烯/氮化硼的插层结构有利于在基体树脂中形成导热网络,从而快速提高聚合物导热性能。
申请公布号 CN105949512A 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201610310346.0 申请日期 2016.05.12
申请人 上海大学 发明人 丁鹏;邵临博;崔谢亮;李顼珩;施利毅
分类号 C08K9/02(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K3/38(2006.01)I;C08L101/00(2006.01)I 主分类号 C08K9/02(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种插层组装氮化硼‑石墨烯复合材料,其特征在于:包括石墨烯片层以及插层在石墨烯层之间的六方氮化硼膜层,六方氮化硼膜层在石墨烯原子间层间对石墨烯片层进行连接,形成具有三明治形式的石墨烯/氮化硼的插层结构,所述石墨烯/氮化硼的插层结构形成热桥,所述石墨烯片层为纳米片层结构,所述六方氮化硼膜层为具有单层或少层二维结构的层状六方氮化硼。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号