| 发明名称 | 一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于薄膜制备领域。公开一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法。该三氧化二铈为(Mn<sub>0.5</sub>Fe<sub>0.5</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>结构，空间群为206。该方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce) 蒸发源，并在处理后的单晶钨(110)衬底表面沉积Ce，在处理后的单晶钨(110)衬底表面获得厚度为2~5纳米的Ce单晶薄膜；在室温下氧化Ce单晶薄膜，获得CeO<sub>2</sub>；在真空环境中对CeO<sub>2</sub>进行退火处理，退火温度900℃，时间为15~30分钟，获得(001)面的Ce<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜。本发明获得了（001）面的立方相Ce<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜，是对现有催化模型体系研究的补充。 | ||
| 申请公布号 | CN105951178A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610276819.X | 申请日期 | 2016.04.29 |
| 申请人 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 发明人 | 冯卫;刘琴;谢东华;朱燮刚;陈秋云;谭世勇 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 张利杰 |
| 主权项 | 一种制备立方相三氧化二铈（Ce<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）单晶薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce) 蒸发源，并在处理后的单晶钨(110)衬底表面沉积Ce，在处理后的单晶钨(110)衬底表面获得厚度为2~5纳米（nm）的Ce单晶薄膜；在室温下氧化Ce单晶薄膜，获得CeO<sub>2</sub>；在真空环镜中对CeO<sub>2</sub>进行退火处理，退火温度为900℃，时间为15~30分钟，获得晶面（001）面的Ce<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜。 | ||
| 地址 | 621908 四川省绵阳市江油市华丰新村9号 | ||