具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，属于半导体器件制备技术领域。该晶体管自下至上依次包括衬底、成核层、Al_xGa_1‑xN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分渐变的Al_yGa_1‑yN层、组分固定的Al_zGa_1‑zN层，其中，z≥y，在组分固定的Al_zGa_1‑zN层上沉积欧姆接触金属并进行高温合金形成源电极和漏电极，在组分固定的Al_zGa_1‑zN层上沉积肖特基接触金属并进行高温合金形成栅电极，在源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间沉积钝化层。在AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管中的载流子呈准三维分布，器件线性度高，且由于背势垒的存在增强了电子局域性，提高了器件的栅控能力，改善了器件的关断特性。

主权项

一种具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管，其特征在于，自下至上依次包括衬底（1）、成核层（2）、Al_xGa_1‑xN缓冲层（3）、未掺杂的GaN沟道层（4）、组分渐变的Al_yGa_1‑yN层（5）、组分固定的Al_zGa_1‑zN层（6），其中，z≥y；在组分固定的Al_zGa_1‑zN层（6）上沉积欧姆接触金属并进行高温合金形成源电极(7)和漏电极（9），在组分固定的Al_zGa_1‑zN层（6）上沉积肖特基接触金属并进行高温合金形成栅电极（8），在源电极（7）与栅电极（8）之间以及栅电极（8）与漏电极（9）之间沉积钝化层（10）。