基于单电源的大功率IGBT驱动供电电路

摘要

本发明提出了一种基于单电源的大功率IGBT驱动供电电路，包括主控芯片、电平转换芯片、MOSFET管；所述主控芯片发出的正向驱动信号、负向关断信号、正向控制信号和负向控制信号；控制当正向驱动信号和正向控制信号使得加载在IGBT的门极G和发射极E两端的电压为V₊，此时，IGBT开通；关断过程：控制负向关断信号和负向控制信号，使得加载在IGBT的门极G和发射极E两端的电压为‑V₊，此时，IGBT关断。本发明能够基于单电源变换得到正负驱动供电电压，该电路具有以下特点：驱动供电电压基于同一单电源，不需要构造负电源，通过电力电子变换得到正负驱动供电电压；由于不使用变压器，可降低驱动供电电路的体积。

主权项

一种基于单电源的大功率IGBT驱动供电电路，其特征在于：所述电路包括主控芯片、电平转换芯片、MOSFET管；所述主控芯片发出的正向驱动信号、负向关断信号、正向控制信号和负向控制信号；所述正向驱动信号连接第一电平转换芯片，通过第一电平转换芯片得到驱动第一MOSFET管的第一驱动信号；所述第一MOSFET管的栅极连接所述第一驱动信号，漏极连接所述供电源的正极V₊，源极连接第一驱动电阻，所述第一驱动电阻另一端连接IGBT的门极G；所述负向关断信号连接第二电平转换芯片，通过第二电平转换芯片得到驱动第二MOSFET管的第二驱动信号；所第二MOSFET管的栅极连接所述第二驱动信号，源极连接所述供电源的地，漏极连接第一关断电阻，所述第一关断电阻另一端连接IGBT的门极G；所述负向控制信号连接第三电平转换芯片，通过第三电平转换芯片得到驱动第三MOSFET管的第三驱动信号；所述第三MOSFET管的栅极连接所述第三驱动信号，源极连接所述供电源的正极V₊，源极连接第二关断电阻，所述第二驱动电阻另一端连接IGBT的发射极E；所述正向控制信号连接第四电平转换芯片，通过第四电平转换芯片得到驱动第四MOSFET管的第四驱动信号；所述第四MOSFET管的栅极连接所述第四驱动信号，漏极连接所述供电源的地，源极连接第二驱动电阻，所述第二关断电阻的另一端连接IGBT的发射极E。