发明名称 |
一种MEMS运动传感器产品硅片的制造方法 |
摘要 |
本申请公开了一种MEMS运动传感器产品硅片的制造方法,包括如下步骤:步骤一,提供一片包含若干孤岛的空腔图形的硅片和一片空白硅片通过SOI工艺键合在一起;步骤二,在所述硅层表面沉积一层金属;步骤三,光罩显影出MEMS运动传感器的悬臂梁结构图案;步骤四,干法深硅刻蚀所述硅层至露出下层空腔;步骤五,干法ASH工艺除去所述硅片表面的剩余光刻胶和部分蚀刻形成的polymer;步骤六,湿法清洗工艺去除剩余的polymer;步骤七,形成MEMS产品硅片。该方法不仅能配合干法ASH工艺完全清除深硅刻蚀形成的polymer,而且也能防止MEMS运动传感器悬臂梁粘连问题,显著提高了产品良率。 |
申请公布号 |
CN105947969A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201610269072.5 |
申请日期 |
2016.04.27 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
徐爱斌;王俊杰;熊磊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种MEMS运动传感器产品硅片的制造方法,包括如下步骤:步骤一,提供一片包含若干孤岛的空腔图形的第一硅片和一片空白的第二硅片通过SOI工艺键合在一起,并将第二硅片减薄;步骤二,在所述第二硅片表面沉积一层金属,并光刻形成后续键合所用的金属图案;步骤三,在所述第二硅片表面涂抹光刻胶,并光罩显影出MEMS运动传感器的悬臂梁结构图案;步骤四,干法深硅刻蚀所述第二硅片至露出下层空腔,形成MEMS运动传感器的可移动悬臂梁结构;步骤五,干法ASH工艺除去所述第二硅片表面的剩余光刻胶和部分蚀刻形成的聚合物;步骤六,湿法清洗工艺去除剩余的聚合物,所述湿法清洗工艺采用EKC或ACT溶液以及异丙醇蒸汽干燥方式;步骤七,所述第二硅片与另一片含铝图形的CMOS硅片通过金属共晶键合在一起,形成MEMS产品硅片。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |