| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；刻蚀栅极堆叠结构两侧的衬底，形成C型源漏凹槽；湿法腐蚀C型源漏凹槽，形成∑型源漏凹槽。依照本发明的半导体器件制造方法，通过刻蚀C型源漏凹槽并且进一步湿法腐蚀而形成∑型源漏凹槽，有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷，降低凹槽的侧壁和底部的粗糙度，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103545212B | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201210246706.7 | 申请日期 | 2012.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 秦长亮;洪培真;殷华湘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；刻蚀栅极堆叠结构两侧的衬底，形成C型源漏凹槽，C型源漏凹槽向沟道区凹进的距离大于等于源漏凹槽深度的1/2；湿法腐蚀C型源漏凹槽，形成Σ型源漏凹槽。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||