发明名称 一种功率驱动系统
摘要 本发明涉及一种功率驱动系统,包括一种单层铝基板的三相并联电路的工艺结构设计,使各汇流区完成对应MOSFET的并联;一种铝基板的电源输入结构,直流电流输入端采用焊接的方式连接在铝基板上,采用压接的方式用螺钉和叠层母线连接;一种交流电流输出结构,采用压接方式的输出接口,采用方形焊盘,用螺钉紧固的方式输出,使生产操作简单,效率高并且易于实现模块化,使得各模块之间连接简单;一种叠层母线的结构,利用PCB作为直流母线,正负极分别走PCB顶层和底层,正负极之间非常高的重合性;一种输入输出信号结构设计,使得每一桥臂的MOSFET单独使用一个连接器;一种针对单层铝基板电性能特点设计的MOSFET布局,使得单块铝基板的输出电流可达到400Arms。
申请公布号 CN103560682B 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201310326699.6 申请日期 2013.07.31
申请人 佟炳然 发明人 佟炳然;刘杰
分类号 H02M7/00(2006.01)I 主分类号 H02M7/00(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 成金玉
主权项 一种功率驱动系统,其特征在于:包括单层铝基板的三相并联电路布局及电气结构;所述单层铝基板的三相并联电路布局包括:在单层铝基板上,由下至上分成3个区域分别是U、V、W相区域,每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成;整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组,每一排模组中包括n个MOSFET,其中n大于1;6排并联MOSFET模组将单层铝基板分成7个电流汇流区,从下至上分别为U相下管源极汇流区、U相上管源极与U相下管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相与V相下管源极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管漏极汇流区;在W相上管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区分别布置有正极电流输入接口,在U相下管源极汇流区、W相和V相下管源极汇流区分别布置有负极电流输出接口;在U相上管源极与U相下管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区分别布置有交流输出接口;所述电气结构包括:直流输入输出结构、交流电流输出结构、叠层母线结构和信号输入输出结构;直流输入输出结构采用焊接的方式连接在三相并联电路的正极电流输入接口、负极电流输出接口上;交流电流输出结构用螺钉紧固的方式连接在三相并联电路的交流输出接口上;叠层母线结构的输入输出压接位用螺钉紧固压装在直流输入输出结构上;信号输入输出结构焊接在铝基板上,使得U、V、W相区域分别有一个信号输入输出端口。
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