发明名称 | 一种基于FinFET管的一位全加器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于FinFET管的一位全加器,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管和第二十FinFET管,第一FinFET管、第二FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十五FinFET管、第十七FinFET管和第十九FinFET管为P型FinFET管,第三FinFET管、第四FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十四FinFET管、第十六FinFET管、第十八FinFET管和第二十FinFET管为N型FinFET管;优点是电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
申请公布号 | CN105958997A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
申请号 | CN201610257904.1 | 申请日期 | 2016.04.22 |
申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 胡建平;许仲池 |
分类号 | H03K19/20(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/20(2006.01)I |
代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 方小惠 |
主权项 | 一种基于FinFET管的一位全加器,其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管和第二十FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十五FinFET管、所述的第十七FinFET管和所述的第十九FinFET管为P型FinFET管,所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第十FinFET管、所述的第十一FinFET管、所述的第十四FinFET管、所述的第十六FinFET管、所述的第十八FinFET管和所述的第二十FinFET管为N型FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十FinFET管、所述的第十一FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十四FinFET管、所述的第十五FinFET管、所述的第十六FinFET管、所述的第十七FinFET管、所述的第十八FinFET管、所述的第十九FinFET管和所述的第二十FinFET管的鳍的个数均为1;所述的第一FinFET管的源极、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的源极、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第七FinFET管的前栅、所述的第八FinFET管的前栅、所述的第十五FinFET管的背栅和所述的第十六FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第一信号输入端,所述的一位全加器的第一信号输入端用于接入第一加数信号,所述的第一FinFET管的前栅、所述的第一FinFET管的背栅、所述的第二FinFET管的源极、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第三FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的背栅、所述的第八FinFET管的背栅、所述的第十五FinFET管的前栅和所述的第十六FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第二信号输入端,所述的一位全加器的第二信号输入端用于接入第二加数信号,所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的漏极、所述的第八FinFET管的漏极、所述的第十FinFET管的前栅、所述的第十FinFET管的背栅、所述的第十一FinFET管的源极和所述的第十四FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的一位全加器的低位进位信号输入端,所述的一位全加器的低位进位信号输入端用于接入低位进位信号,所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的漏极、所述的第六FinFET管的前栅、所述的第六FinFET管的背栅、所述的第七FinFET管的漏极、所述的第九FinFET管的前栅、所述的第九FinFET管的背栅、所述的第十二FinFET管的源极和所述的第十三FinFET管的前栅连接,所述的第五FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的源极、所述的第十三FinFET管的源极、所述的第十五FinFET管的源极、所述的第十七FinFET管的源极和所述的第十九FinFET管的源极均接入电源,所述的第六FinFET管的源极、所述的第八FinFET管的源极、所述的第十四FinFET管的源极、所述的第十六FinFET管的源极、所述的第十八FinFET管的源极和所述的第二十FinFET管的源极均接地,所述的第九FinFET管的源极、所述的第十FinFET管的源极、所述的第十一FinFET管的前栅、所述的第十一FinFET管的背栅、所述的第十二FinFET管的前栅、所述的第十二FinFET管的背栅、所述的第十三FinFET管的背栅和所述的第十四FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的一位全加器的低位进位信号输入端,所述的一位全加器的低位进位信号输入端用于接入低位进位信号,所述的第九FinFET管的漏极、所述的第十FinFET管的漏极、所述的第十一FinFET管的漏极、所述的第十二FinFET管的漏极、所述的第十七FinFET管的前栅、所述的第十七FinFET管的背栅、所述的第十八FinFET管的前栅和所述的第十八FinFET管的背栅连接,所述的第十七FinFET管的漏极和所述的第十八FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的一位全加器的和信号输出端,所述的第十三FinFET管的漏极、所述的第十四FinFET管的漏极、所述的第十五FinFET管的漏极、所述的第十六FinFET管的漏极、所述的第十九FinFET管的前栅、所述的第十九FinFET管的背栅、所述的第二十FinFET管的前栅和所述的第二十FinFET管的背栅连接,所述的第十九FinFET管的漏极和所述的第二十FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的一位全加器的高位进位信号输出端,所述的一位全加器的高位进位信号输出端用于输出高位进位信号。 | ||
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