基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设有上电极互连区和上电极，上电极是由铝薄膜形成的正方形周期圆孔阵列，铝薄膜形成正方形周期圆孔阵列是探测器的表面等离激元结构，实现波长选择功能。上电极使用金属铝，铝的制备工艺简便成熟，价格便宜易于获得，抗锈蚀能力强，同时与器件的兼容性能好；采用剥离工艺制备金属铝正方形周期圆孔阵列，相比于腐蚀技术，可控性及实际效果更好。

主权项

一种基于表面等离激元的波长选择Si基半导体光电导中远红外阻挡杂质带探测器，其特征在于，从下至上依次为高纯硅基底(1)、高纯硅基底(1)上低电阻率的掩埋底电极(2)、高掺杂吸收层(3)、杂质带阻挡层(4)，在阻挡层(4)上方沉积的钝化层(5)，所述的阻挡层(4)上设有上电极互连区(6)和上电极(7)，所述的上电极(7)是由铝薄膜形成的正方形周期圆孔阵列，所述的探测器还包括开至高纯硅基底(1)的V型槽，所述的铝薄膜形成正方形周期圆孔阵列是探测器的表面等离激元结构，实现波长选择功能。