发明名称 |
一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法,包括:提供单晶衬底,以所述单晶衬底的一表面为注入面,在所述单晶衬底内进行第一类型离子及第二类型离子的共注入,以在所述单晶衬底的预设深度形成缺陷层;提供支撑衬底,使所述单晶衬底的注入面与所述支撑衬底的表面紧密接触;沿所述缺陷层剥离部分所述单晶衬底,使所述单晶衬底的一部分转移到所述支撑衬底上,以在所述支撑衬底上形成薄层结构。本发明在单晶衬底内采用两种不同类型离子进行共注入,可以制备出单晶材料薄膜,有效地降低剥离及转移单晶材料薄膜层所需的离子总注入剂量,进而缩短了制备周期,节约了生产成本;还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。 |
申请公布号 |
CN105957831A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201610527908.7 |
申请日期 |
2016.07.06 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
欧欣;黄凯;贾棋;游天桂;王曦 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法,其特征在于,至少包括以下步骤:提供单晶衬底,以所述单晶衬底的一表面为注入面,在所述单晶衬底内进行第一类型离子及第二类型离子的共注入,以在所述单晶衬底的预设深度形成缺陷层;提供支撑衬底,使所述单晶衬底的注入面与所述支撑衬底的表面紧密接触;沿所述缺陷层剥离部分所述单晶衬底,使所述单晶衬底的一部分转移到所述支撑衬底上,以在所述支撑衬底上形成薄层结构。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |