发明名称 |
半導体上の銅のめっき |
摘要 |
Monovalent copper plating baths are used to metallize current tracks of the front side or emitter side of semiconductor wafers. Copper is selectively deposited on the current tracks by electrolytic plating or LIP. Additional metallization of the current tracks may be done using conventional metal plating baths. The metalized semiconductors may be used in the manufacture of photovoltaic devices. |
申请公布号 |
JP5996244(B2) |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
JP20120092885 |
申请日期 |
2012.04.16 |
申请人 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC |
发明人 |
ゲーリー・ハム;ジェイソン・エイ.リーズ;リンユン・ウェイ |
分类号 |
C25D7/12;C23C18/38;C23C18/52;C25D3/38;C25D5/12;H01L21/288 |
主分类号 |
C25D7/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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