氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法

摘要

一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；然后是主刻蚀步骤：将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；接着是过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中主刻蚀步骤完成后直接转换到过刻蚀步骤。主刻蚀步骤可使ON侧墙形貌不至于太过于倾斜，从而控制侧墙底部的有效宽度，进而控制器件的栅极宽度。而过刻蚀步骤采用对氧化硅有高选择性的菜单，能使得晶片上残余的氮化硅刻蚀干净，避免对衬底造成损伤。

主权项

一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体晶片上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后,先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；其特征在于，该方法还包括如下步骤：主刻蚀步骤：将所述氮化硅薄膜刻蚀掉所述氮化硅薄膜厚度的2/3～4/5；过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中所述主刻蚀步骤完成后不停止、直接转换到所述过刻蚀步骤，与所述过刻蚀采用同一菜单实现。