一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法

摘要

本发明提供一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法，包括以下步骤：硅片双面制绒；硅片单面磷扩散；采用湿法刻蚀去除前表面PSG并且抛光背面；硅片前表面沉积氮化硅膜；硅片p+定义区域印刷铝浆并且烘干烧结；去除背面的铝浆，并且减薄Si‑Al合金层；去除硅正面的氮化硅膜，硅片背面n+掺杂区域制备；双面热氧化；硅片正面沉积氮化硅膜，背面印刷互相交错的银浆、铝浆并且一次烧结。本发明利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法步骤简单、科学，生产成本低廉，工艺可靠性强，能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备，能实现N型硅IBC太阳电池的批量化生产。

主权项

一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，用碱溶液对硅片(3)进行双面制绒，在硅片(3)表面形成绒面陷光结构；步骤二，两块硅片背靠背的两面为背表面，另外两面为前表面，以三氯氧磷为扩散源在830‑850℃对两个前表面进行单面磷扩散形成前表面n+掺杂区(2)；步骤三，用HNO₃/HF混合溶液对硅片进行抛光，以去除硅片背表面的n+扩散薄层，再用HF酸溶液去除硅片前表面的磷硅玻璃PSG；步骤四，在硅片前表面沉积SiNx保护层；在硅片背表面定义p+区，在p+区印刷Al浆，烧结后形成p+发射极区(4)；步骤五，用沸腾的盐酸溶液去除硅片背表面的铝和Si‑Al合金层，在60‑80℃下用碱溶液处理硅片背表面，p+发射极区(4)去除1‑3μm层厚，使p+发射极区(4)剩余厚度为0.5‑10μm；步骤六，在硅片背表面定义n+区，在该区域印刷磷墨，惰性气体保护下，烘干、880‑900℃下高温处理20‑30min，硅片背表面形成n+区(8)；步骤七，清洗硅片去除前表面SiNx保护层，在氧化炉中，850‑900℃下对硅片进行双面高温氧化处理600‑1800s，生成5‑15nm的背表面钝化层(6)；步骤八，在硅片前表面二次沉积60‑80nm的SiNx薄膜，形成SiO₂/SiNx减反层(1)；所述SiO₂/SiNx减反层(1)的折射率为1.9‑2.2；步骤九，在p+发射极区(4)背离硅片背表面的一侧印刷铝浆层，所述铝浆层宽度比p+发射极区(4)窄50‑200μm，烘干；步骤十，在硅片背表面n+区(8)印刷银浆料烘干后烧结，印刷银浆料的n+区(8)烧结后形成n+区金属接触(7)，印刷铝浆料的p+发射极区(4)烧结后形成p+区金属接触(5)，得到N型硅IBC太阳电池。