圧電性ＡｌＮ含有層の堆積方法、並びにＡｌＮ含有圧電体層

摘要

本発明は、真空チャンバー（１）内で少なくとも２つのターゲット（４、５）のマグネトロンスパッタを用い、前記ターゲット（４、５）の少なくとも１つはアルミニウムを含む、圧電性ＡｌＮ含有層を基板（２）に堆積する方法であって、少なくとも反応ガスである窒素と不活性ガスとを含むガス混合物を真空チャンバー（１）内に導入し、マグネトロンスパッタの間に単極パルスモードと双極パルスモードとを交互に使用することを特徴とする前記方法に関する。本発明はさらに、式ＡｌXＮYＯZ［前記式中、０．１≦Ｘ≦１．２）； （０．１≦Ｙ≦１．２）且つ（０．００１≦Ｚ≦０．１）である］のＡｌＮ含有層に関する。