发明名称 |
双面扇出型晶圆级封装结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构,包括基底、第一重新布线层、第二重新布线层、通孔电极、第一器件、第一电极凸块、第一固化材料、第二器件、第二电极凸块以及第二固化材料,所述第一、第二重新布线层通过通孔电极连接,各电极露出于固化材料表面。本实用新型通过制作电极通孔实现双面器件的互连,并可实现多层封装结构的垂直互连,实现不同电子设备功能;重新布线层制作于芯片附着之前,避免芯片移位;将结构粘合于载体上,避免结构翘曲;用电极凸块作为互连引出,为多种不同器件的集成提供了保证;通过控制固化材料的厚度来控制电极凸块的引出,节省了固化材料的研磨工艺;通过双面扇出型封装,大大提高器件的集成度。 |
申请公布号 |
CN205582933U |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201620076472.X |
申请日期 |
2016.01.26 |
申请人 |
中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
发明人 |
蔡奇风;林正忠 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
罗泳文 |
主权项 |
一种双面扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,包括:基底,所述基底的第一表面形成有第一重新布线层,第二表面形成有第二重新布线层,且所述基底中形成有连接所述第一重新布线层及第二重新布线层的通孔电极;第一器件,固定于所述第一重新布线层,且与第一重新布线层的电性连接;第一电极凸块,形成于所述第一重新布线层上;第一固化材料,覆盖于所述第一器件表面,且露出有所述第一电极凸块;第二器件,固定于所述第二重新布线层,且与第二重新布线层的电性连接;第二电极凸块,形成于所述第二重新布线层上;第二固化材料,覆盖于所述第二器件表面,且露出有所述第二电极凸块。 |
地址 |
214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号 |