发明名称 |
高导磁拼接盆架 |
摘要 |
本发明提供了一种高导磁拼接盆架,包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架,磁路系统包括中心磁铁;盆架包括低磁导率的导磁板和高磁导率的导磁板,其中,在低磁导率的导磁板上开设有与中心磁铁相对应的通孔;中心磁铁粘接设置在低磁导率的导磁板的通孔上;高磁导率的导磁板粘接设置在低磁导率的导磁板下方与中心磁铁相对应的位置,并且,高磁导率的导磁板的厚度小于低磁导率的导磁板的厚度。利用上述本发明的高导磁拼接盆架,可以有效缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和,同时增加磁路系统中中心磁铁的厚度,进一步扩大音圈的驱动力,提升产品灵敏度。 |
申请公布号 |
CN103369435B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201310314732.3 |
申请日期 |
2013.07.24 |
申请人 |
歌尔声学股份有限公司 |
发明人 |
邵明辉;牟宗君;许超 |
分类号 |
H04R7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H04R7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
陈英俊 |
主权项 |
一种高导磁拼接盆架,包括磁路系统和固定收容所述磁路系统的盆架,所述磁路系统包括中心磁铁(1);所述盆架包括低磁导率的导磁板(2)和高磁导率的导磁板(3),其特征在于,在所述低磁导率的导磁板(2)上开设有与所述中心磁铁(1)相对应的通孔;所述中心磁铁(1)粘接设置在所述低磁导率的导磁板(2)的通孔上;所述高磁导率的导磁板(3)粘接设置在所述低磁导率的导磁板(2)下方与所述中心磁铁(1)相对应的位置,并且,所述高磁导率的导磁板(3)的厚度小于所述低磁导率的导磁板(2)的厚度;在所述低磁导率的导磁板(2)的通孔壁上设置有与所述高磁导率的导磁板(3)相配合的凹槽,所述高磁导率的导磁板(3)通过所述凹槽与所述低磁导率的导磁板(2)搭接;所述磁路系统还包括设置在所述低磁导率的导磁板(2)上位于所述中心磁铁(1)两侧的边磁铁(4);并且,所述边磁铁(4)的上表面和所述中心磁铁(1)的上表面在同一水平线上,所述中心磁铁(1)和所述边磁铁(4)形成磁间隙;所述高磁导率的导磁板(3)横向两边伸出所述中心磁铁(1)的长度大于磁间隙的长度。 |
地址 |
261031 山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号 |