用于改进分布均匀性的拐角式扰流件

摘要

本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。

主权项

一种用于处理腔室的拐角式扰流件，所述拐角式扰流件包括：电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被定位成改变在所述处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布，并且其中所述L形主体包括：第一支脚；以及第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交，并且其中从所述第一支脚的端部至所述外侧拐角的距离是从所述第一支脚的端部至所述内侧拐角的距离的两倍，以及从所述第二支脚的端部至所述外侧拐角的距离是从所述第二支脚的端部至所述内侧拐角的距离的大约两倍。