一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法

摘要

本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和基本氮化物复合夹层，氮化物半导体材料层位于应力缓冲层上方；基本氮化物复合夹层包括位于氮化物半导体材料层上方的第一氮化物夹层和位于第一氮化物夹层上方的第二氮化物夹层，第一氮化物夹层为p型，第二氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层，第二氮化物夹层包括铝和镓，并且氮化物材料层的总厚度至少2.0μm以上。本发明的半导体外延结构会在降低氮化物的位错密度、提高氮化物晶体质量的同时，大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。

主权项

一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构，其特征在于，由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，所述氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和氮化物复合夹层，氮化物半导体材料层位于应力缓冲层上方；所述氮化物复合夹层包括第一氮化物夹层和位于所述第一氮化物夹层上方的第二氮化物夹层，所述第一氮化物夹层为p型，所述第二氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层；其中第一氮化物夹层位于氮化物半导体材料层上方。