一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法

摘要

一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。

主权项

一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，该制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；基区扩散完成后，在基区的表面扩散了一层硼或磷；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在淀积二氧化硅时，保证干氧氧化层的厚度在1nm至10nm之间，湿氧氧化层的厚度在200nm至1μm之间，晶体管的发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度，n为大于3的正整数。