发明名称 整流装置
摘要 本发明的整流装置将在高次谐波规制限度内固定值的高次谐波电流波形和根据与整流装置连接的直流负载而可变的正弦波电流波形的合计作为指令信息,基于其与实际电流信息的差异控制半导体开关的短路和开路的比率。高次谐波电流波形是各次的高次谐波的振幅与规制限度值大致相等,并且在使基本波为正弦函数时的零相位分别成为零相位的奇数次的正弦函数之和,在可变的正弦波电流值小于规定值的情况下,联动地使高次谐波电流波形衰减。
申请公布号 CN103918171B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201280055117.9 申请日期 2012.12.12
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 土山吉朗;京极章弘;戴鑫徽;吉田泉;川崎智广
分类号 H02M7/12(2006.01)I 主分类号 H02M7/12(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种控制单相交流电源的电流的整流装置,其特征在于,包括:对所述单相交流电源的电流进行整流的整流器;与所述整流器的输出的一端连接的电抗器;与所述电抗器和所述整流器的输出的另一端连接的半导体开关;平滑部,经由二极管连接所述电抗器与所述半导体开关的连接点,并且与所述整流器的输出的所述另一端连接;控制电路,控制所述半导体开关,以使得由所述整流器对所述单相交流电源进行整流后,用所述半导体开关使所述整流器的输出的所述一端与所述另一端经由电抗器短路,使流过所述电抗器的电流经由所述半导体开关流入所述整流器的输出的所述另一端,在所述半导体开关开路时,使流过所述电抗器的电流经由所述二极管流入所述平滑部,所述控制电路包括:正弦波波形信息形成部,基于所述单相交流电源的交流电压相位信息和所述平滑部的两端的直流电压信息与所需的直流电压信息的差异,形成振幅变化了的正弦波波形信息;高次谐波波形信息形成部,基于所述单相交流电源的所述交流电压相位信息和规定的电源高次谐波规制限度值,形成高次谐波波形信息;和半导体开关控制部,基于指令信息与从所述整流器输出的实际电流信息的差异,调整所述半导体开关的短路和开路的比率,其中,所述指令信息是对由所述正弦波波形信息形成部形成的所述正弦波波形信息与由所述高次谐波波形信息形成部形成的所述高次谐波波形信息进行加法运算而生成的。
地址 日本,大阪府
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