发明名称 |
用于将铜电沉积到硅通孔内的镍和钴衬垫的预处理 |
摘要 |
本发明涉及用于将铜电沉积到硅通孔内的镍和钴衬垫的预处理。在将铜电沉积到含镍和/或含钴籽晶层上之前,通过使所述籽晶层与预润湿液体接触而对半导体晶片进行预处理,所述预润湿液体包含浓度为至少约10克/升,优选至少约30克/升的铜离子,和电镀抑制剂,例如聚亚烷基二醇类化合物。这种预处理对于具有一个或多个大型凹陷特征(例如穿硅通孔(TSV))的晶片是特别有用的。预润湿液体优选在与晶片衬底接触前脱气。预处理优选在低于大气压的压强下进行以防止在特征中气泡的形成。在对晶片进行预处理后,从电镀溶液(例如酸性电镀溶液)电镀铜以填充晶片上的凹陷特征。所描述的预处理最小化电镀期间籽晶层的腐蚀,并减少电镀缺陷。 |
申请公布号 |
CN105937043A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201610124296.7 |
申请日期 |
2016.03.04 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
马修·S·托里姆;史蒂文·T·迈耶 |
分类号 |
C25D3/38(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
C25D3/38(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
樊英如;李献忠 |
主权项 |
一种在包含一个或多个凹陷特征的晶片衬底上电镀铜的方法,所述方法包含:(a)提供晶片衬底,在该晶片衬底的表面的至少一部分上具有暴露的含镍和/或暴露的含钴籽晶层;(b)使所述晶片衬底与预润湿液体接触,以预润湿所述晶片衬底上的所述籽晶层,所述预润湿液体包含电镀抑制剂和浓度为至少约10克/升的铜(Cu<sup>2+</sup>)离子;以及(c)电沉积铜到所述籽晶层上,其中所电沉积的铜至少部分地填充所述一个或多个凹陷特征。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |