发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置,其能够保护检测开关元件免受浪涌影响,并且能够使用检测开关元件而以较高精度来对主开关元件的电流进行检测。所述半导体装置具有:第一主电极和第二主电极,其与半导体基板的正面相接;背面电极,其与半导体基板的背面相接;第一电容器电极;其被配置在所述正面上;第一绝缘膜,其被配置在第一电容器电极上;第二电容器电极,其被配置在第一绝缘膜上。在第一主电极与背面电极之间形成有第一绝缘栅型开关元件。在第二主电极与背面电极之间形成有第二绝缘栅型开关元件。第一主电极和第二主电极中的任意一方与第一电容器电极导通,第一主电极和第二主电极中的另一方与第二电容器电极导通。
申请公布号 CN105938830A 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201610115150.6 申请日期 2016.03.01
申请人 丰田自动车株式会社 发明人 安田佳史
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 黄威;苏萌萌
主权项 一种半导体装置,具有:半导体基板;第一主电极和第二主电极,其与所述半导体基板的正面相接;背面电极,其与所述半导体基板的背面相接;第一电容器电极,其被配置在所述正面上;第一绝缘膜,其被配置在所述第一电容器电极上;第二电容器电极,其被配置在所述第一绝缘膜上,所述第一主电极和所述第二主电极与所述正面中的不同范围相接,在存在于所述第一主电极与所述背面电极之间的所述半导体基板上,形成有第一绝缘栅型开关元件,在存在于所述第二主电极与所述背面电极之间的所述半导体基板上,形成有第二绝缘栅型开关元件,在所述正面上,所述第一绝缘栅型开关元件的面积与所述第二绝缘栅型开关元件的面积相比而较大,所述第一主电极和所述第二主电极中的任意一方与所述第一电容器电极导通,所述第一主电极和所述第二主电极中的另一方与所述第二电容器电极导通。
地址 日本爱知县