用于声学应用的具有污染防护元件的半导体集成设备及其制造方法

摘要

本公开的实施方式涉及用于声学应用的具有污染防护元件的半导体集成设备及其制造方法。该半导体集成设备(51、81；91)包括：封装体(50)，限定内部空间(8)并且具有与封装体(50)外部的环境声学连通的声进入开口(28；98b)；MEMS声换能器(21)，容纳在内部空间(8)中，并且设置有面向声进入开口(28；98b)的声学室(6)；以及过滤模块(52；82；96)，过滤模块设计成阻止具有比过滤尺寸(d₁；d_MAX)更大的尺寸的污染颗粒的通过，并且设置在MEMS声换能器(21)与声进入开口(28；98b)之间。过滤模块在声进入开口(28；98b)与声学室(6)之间限定至少一个直接声学路径。

主权项

一种半导体集成设备(51、81；91)，包括：封装体(50)，具有共同限定所述封装体(50)的内部空间(8)的基部元件(23)和覆盖元件(27)，所述基部元件(23)具有与所述封装体(50)外部的环境声学连通的声进入开口(28；98b)；以及MEMS声换能器(21)，容纳在所述封装体(50)的内部空间(8)中，并且设置有面向所述声进入开口(28；98b)的声学室(6)，其特征在于，所述半导体集成设备还包括过滤模块(52；82；96)，所述过滤模块适于阻止具有比过滤尺寸(d₁；d_MAX；d_MIN)更大尺寸的污染颗粒的通过，所述过滤模块设置在所述MEMS声换能器(21)与所述声进入开口(28；98b)之间，所述过滤模块在所述声进入开口(28；98b)与所述声学室(6)之间形成至少一个直接声学路径。