发明名称 |
一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法,包括以下步骤:1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜,所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上;2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中,将退火装置抽真空至真空度为200~2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200~2000Pa后通入惰性气体至标准大气压,再升温至280~320℃,保温时间为0.5~3h,然后随炉自然冷却至室温,即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。本发明能够降低纯氧化钒薄膜的相变温度,也能降低掺杂氧化钒薄膜的相变温度,具有非常广阔的使用范围。此外,本发明处理温度低,工艺简单,安全性好,在高端光电功能材料领域具有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104445990B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201410673812.2 |
申请日期 |
2014.11.21 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
陶海征;赵新宇;赵修建 |
分类号 |
C03C17/23(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C09K5/06(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/23(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
邬丽明;刘锦霞 |
主权项 |
一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法,其特征在于,它包括以下步骤:1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜,所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上;2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中,将退火装置抽真空至真空度为200~2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200~2000Pa后通入惰性气体至标准大气压,再升温至280~320℃,保温时间为0.5~3h,然后随炉自然冷却至室温,即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |