发明名称 一种生产多晶硅方法
摘要 一种生产多晶硅的加热炉及生产多晶硅方法,属于加热炉技术领域。先将硅料置于石英陶瓷坩埚里,石英陶瓷坩埚内表面涂覆Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层,并将隔热板放置在硅料上部,然后将坩埚和硅料、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层及隔热板一道置于感应电炉内,通电熔化硅料,当硅料全部熔化后,对硅液进行定向凝固,即可得到多晶硅。
申请公布号 CN104591187B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201510015331.7 申请日期 2015.01.12
申请人 北京工业大学 发明人 屈银虎;成小乐;李学艺;符寒光
分类号 C01B33/021(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I 主分类号 C01B33/021(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 张慧
主权项 一种生产多晶硅方法,其特征在于,采用生产多晶硅的加热炉,生产多晶硅的加热炉:石英陶瓷坩埚(4)内表面涂覆厚度1.5~2.5mm的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层(3),石英陶瓷坩埚上开口配有隔热板(1);石英陶瓷坩埚可分离地置于感应电炉内,感应电炉最内层为感应炉炉衬(6),感应炉炉衬(6)的外面自上而下分别设有独立电源控制的多个平行的感应线圈(5),在感应电炉的最下面是水冷铜套(7);包括以下步骤:1)先将硅料置于内表面涂覆有厚度1.5~2.5mm的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层的石英陶瓷坩埚里,并将隔热板放置在硅料上部,然后将石英陶瓷坩埚和硅料及隔热板一道置于感应电炉内,通电熔化硅料;2)当硅料熔化成硅液,且硅液温度达到1425‑1435℃时,对水冷铜套进行通水冷却,进水温度5‑12℃,水压0.3~0.45MPa,水流量5.0‑5.5m<sup>3</sup>/h,并从感应炉的下部至上部依次切断感应线圈的电源,实现坩埚内硅液的定向凝固,使坩埚内硅液的凝固冷却速度控制在0.5~1.2mm/分钟;3)当坩埚内硅液全部定向凝固成硅锭,且冷却至温度为200‑250℃时,关闭冷却水,停止水冷铜套的通水冷却,并重新开启感应电炉电源,将坩埚内的硅锭重新加热至650~720℃,然后切断电源,将硅锭冷却至室温即可得到多晶硅。
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