| 发明名称 | 处理腔室 | ||
| 摘要 | 本公开的实施例包括处理腔室，所述处理腔室包括：沉积腔室，所述沉积腔室具有主体；背板，所述背板耦接至所述主体，所述主体从所述背板处支撑扩散器；以及多个温度控制设备，所述多个温度控制设备耦接至所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的外表面或设置在所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的诸部分内，所述主体、所述背板和所述扩散器形成控制形成在所述主体中的工艺容积的温度的一个或多个温度控制环路。 | ||
| 申请公布号 | CN205576274U | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201520881872.3 | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 栗田真一;崔寿永;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 黄嵩泉 |
| 主权项 | 一种处理腔室，所述处理腔室包括：沉积腔室，所述沉积腔室具有主体；背板，所述背板耦接至所述主体，所述主体从所述背板处支撑扩散器；以及多个温度控制设备，所述多个温度控制设备耦接至所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的外表面或设置在所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的诸部分内，所述主体、所述背板和所述扩散器形成控制形成在所述主体中的工艺容积的温度的一个或多个温度控制环路。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||