| 发明名称 | I-III-VI2材料层和钼基体之间的改进的界面 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造由I‑III‑VI合金构成的具有光伏特性的薄层的方法。根据本发明的方法包括的基本步骤有：a)在基体(SUB)上沉积一个适配层(MO)，b)在所述适配层上沉积至少一层至少包括元素I和/或元素III的层(SEED)。适配层是在近似真空的条件下沉积的，而且步骤b)包括第一步操作：在与适配层沉积的条件相同的条件下沉积第一层元素I和/或元素III，而不将适配层暴露于空气中。 | ||
| 申请公布号 | CN103460337B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201180063663.2 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 耐克西斯公司 | 发明人 | 皮埃尔-菲利普·格朗德;吉休斯 萨尔瓦多·杰米 费勒;伊曼纽尔·罗切;哈里克利埃·德利吉安尼;拉曼·维德亚纳桑;凯思琳 B·勒特;强·黄;柳博迈尔·罗曼凯伍;莫里瑟·马松;东纳 S·朱潘斯基-尼尔森 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人 | 童锡君 |
| 主权项 | 一种制造由I‑III‑VI合金构成的具有光伏特性的薄层的方法，元素I为铜，元素III为铟和/或镓以及元素VI为硫和/或硒，该方法包括：a)在基体上沉积一个适配层，b)在所述适配层上，沉积至少一层至少包括元素I和/或元素III的层，其中，适配层是在真空的条件下沉积的，而且步骤b)包括第一步操作：在与适配层沉积的条件相同的条件下，沉积第一层元素I和/或元素III，而不将所述适配层暴露于空气中，其特征在于，步骤b)包括第二步操作：通过电解作用，沉积至少一层I元素和/或III元素的第二层。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||