| 发明名称 | 一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器，该结构由GaAs基PHEMT和MSM两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述MSM被腐蚀截止层隔开；本发明将GaAs基PHEMT和长波长MSM集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和MSM长波长光电探测器。InGaP将PHEMT和MSM隔开，并在腐蚀过程中，起到腐蚀截止作用。本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和MSM材料结构，还有利于减小器件尺寸，缩短传输线长度，减少RC延迟时间。另外，本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和MSM材料结构，可以实现更为复杂的电路。 | ||
| 申请公布号 | CN104091812B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201410310137.7 | 申请日期 | 2014.07.01 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 王智勇;郑建华;高鹏坤;王青 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 沈波 |
| 主权项 | 一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器，其特征在于：该探测器提供了一种单片集成GaAs基PHEMT和MSM材料结构，该结构由GaAs基PHEMT和MSM两部分组成；所述GaAs基PHEMT和所述MSM被InGaP腐蚀截止层(10)隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底(1)上依次分子束外延生长的GaAs缓冲层a(2)、十五个周期的Al<sub>0.22</sub>Ga<sub>0.78</sub>As/GaAs超晶格层(3)、Al<sub>0.22</sub>Ga<sub>0.78</sub>As沟道下势垒层(4)、In<sub>0.2</sub>Gao<sub>0.8</sub>As沟道层(5)、Al<sub>0.22</sub>Ga<sub>0.78</sub>As空间隔离层(6)、平面掺杂层(7)、Al<sub>0.22</sub>Ga<sub>0.78</sub>As势垒层(8)、GaAs N型高掺杂盖帽层(9)构成；所述InGaP腐蚀截止层(10)在所述GaAs N型高掺杂盖帽层(9)上分子束外延生长而成；所述MSM由在InGaP腐蚀截止层(10)上依次分子束外延生长的GaAs缓冲层b(11)、异变缓冲层(12)、InGaAs吸收层(13)、AlInAs势垒加强层(14)和InGaAs肖特基接触层(15)构成。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||