发明名称 |
高多层半导体测试板的钻孔方法 |
摘要 |
一种高多层半导体测试板的钻孔方法,包括:提供基板;将所述基板分成多个等份,得到多个全等的钻孔区;在每个钻孔区内以等间距方式布设多个对位标,所述对位标在水平和垂直方向分别对齐设置;在每个对位标上对应放置一个第一铜盘,经曝光和蚀刻去除每个第一铜盘的部分区域,得到第一定位环和位于所述第一定位环内的第一圆板;及对每个钻孔区内的每个第一圆板进行冲孔得到多个通孔且所述通孔的孔径小于所述第一圆板的径长;及进行分区对位钻孔。上述钻孔方法中,由于对位标在横轴方向和纵轴方向对齐设置,从而提高局部对位精度,进而可使高多层半导体测试板整体对位精度提高。 |
申请公布号 |
CN104608265B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201410857323.2 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 |
发明人 |
李艳国;史宏宇;李娟 |
分类号 |
B28D5/02(2006.01)I |
主分类号 |
B28D5/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
吴平 |
主权项 |
一种高多层半导体测试板的钻孔方法,其特征在于,包括:提供基板;将所述基板分成多个等份,得到多个全等的钻孔区;在每个钻孔区内以等间距方式布设多个对位标,所述对位标在水平和垂直方向分别对齐设置;在每个对位标上对应放置一个第一铜盘,经曝光和蚀刻去除每个第一铜盘的部分区域,得到第一定位环和位于所述第一定位环内的第一圆板;对每个钻孔区的每个第一圆板进行冲孔得到多个通孔,所述通孔的孔径小于所述第一圆板的径长;及采取CCD抓取定位进行分区对位钻孔;还包括:沿所述基板的边缘设置多个定位标;在每个定位标上对应放置一个第二铜盘,并经曝光和蚀刻去除每个第二铜盘的部分区域,得到第二定位环和位于所述第二定位环内的第二圆板;对每个第二圆板进行冲孔得到多个定位孔;在其中一个定位标的旁边设置一个防呆标;在所述防呆标上对应放置一个第三铜盘,并经曝光和蚀刻去除所述第三铜盘的部分区域,得到第三定位环和位于所述第三定位环内的第三圆板;及对所述第三圆板进行冲孔得到防呆孔;其中,所述定位孔的孔径小于所述第二圆板的径长,所述防呆孔的孔径小于所述第三圆板的径长。 |
地址 |
510663 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城光谱中路33号 |