低温多晶硅薄膜的制备方法及其制作系统

摘要

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在基板上从下至上依次生长缓冲层和非晶硅层；步骤二：加热所述非晶硅层使之温度高于室温，并对所述非晶硅层进行预清洗；步骤三：采用准分子激光束照射步骤二预清洗后的非晶硅层，使所述非晶硅转化为多晶硅。本发明还提供这种多晶硅薄膜的制作系统。本发明通过对低温多晶硅薄膜制作系统、预清洗方法进行改进，改善非晶硅层厚度不均匀的状态，从而提高后续步骤中ELA照射转化形成多晶硅薄膜的均匀性。

主权项

一种低温多晶硅薄膜的制作系统（100），其包括样品台（10），以及对应设置于所述样品台（10）上方的外延生长装置（20），用于在设置于所述样品台（10）表面的基板（60）上从下至上依次生长缓冲层（70）和非晶硅层（80）；其特征在于，还包括，装设于所述样品台（10）上的温控装置（50），用于对所述非晶硅层（80）进行加热，使所述非晶硅层（80）的温度高于室温；对应设置于所述样品台（10）上方的预清洗装置（40），用于对加热后的所述非晶硅层（80），进行预清洗；对应设置于所述样品台（10）上方的准分子激光束（30），用于将预清洗后的所述非晶硅层（80）转化为多晶硅层（90）。