制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在印刷布线衬底之上安装Si内插器，等离子体清洗Si内插器的上表面，在Si内插器的上表面之上布置NCF，和通过NCF在Si内插器的上表面之上安装半导体芯片。另外，该方法包括通过多个凸起电极用回流焊将第二衬底的多个电极中的每个电极和半导体芯片的多个电极垫中的每个电极垫相互电耦合的步骤，和在将NCF附着到Si内插器之前等离子体清洗Si内插器的表面的步骤。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)等离子体清洗芯片支承衬底的上表面，所述芯片支承衬底包括形成有多个电极的上表面和在所述上表面的相反侧的下表面；(b)在步骤(a)之后，在所述芯片支承衬底的上表面之上布置绝缘粘合剂；(c)在步骤(b)之后，通过所述绝缘粘合剂在所述芯片支承衬底的上表面上安装半导体芯片；以及(d)在步骤(c)之后，通过回流焊加热安装有所述半导体芯片的芯片支承衬底和所述绝缘粘合剂，并且通过多个凸起电极将所述芯片支承衬底的每个所述电极和所述半导体芯片的多个电极垫中的每个所述电极垫相互电耦合，其中，在步骤(d)中，在将所述绝缘粘合剂布置在每个所述凸起电极的周围的状态下，通过所述凸起电极将每个所述电极和每个所述电极垫相互电耦合。