发明名称 |
基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法 |
摘要 |
基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大,双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术,制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构,能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响,显著增强双极器件的抗辐照能力,同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。 |
申请公布号 |
CN103871873B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201410135985.9 |
申请日期 |
2014.04.04 |
申请人 |
哈尔滨工业大学;石家庄天林石无二电子有限公司;中国空间技术研究院 |
发明人 |
李兴冀;赵玉玲;刘超铭;刘广桥;孙毅;杨剑群;韩力争;刘艳秋;李鹏伟;赵运霞;何世禹 |
分类号 |
H01L21/328(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/328(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
张宏威 |
主权项 |
基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,其特征在于:该方法的具体步骤为:步骤一:采用TCAD软件模拟双极型器件圆形发射区梳状结构的工艺参数,并根据模拟的工艺参数制备圆形发射区梳状结构的双极型器件;所述工艺参数为圆形发射区梳状结构的面积和周长;步骤二:采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量、入射深度和注量信息;所述的离子为P型发射区的离子或N型发射区的离子;所述P型发射区的离子为硼、镓离子;所述N型发射区的离子为磷、砷离子;步骤三:采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化,改变双极型器件的离子注入量,使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入所述离子时双极型器件电流增益的10%,记录所述离子注入量;步骤四:根据步骤三获得的离子注入量,对离子注入机进行参数设置,在双极型器件发射区的边缘位置进行离子注入,形成横截面为梯形的发射区;步骤五:对完成离子注入后的双极型器件进行退火处理,退火处理后完成基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |