发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层,和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离,所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。 |
申请公布号 |
CN104282782B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201410319160.2 |
申请日期 |
2014.07.04 |
申请人 |
LG电子株式会社 |
发明人 |
权亨振;朴铉定;崔正薰;朴昶绪 |
分类号 |
H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2014.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:半导体基板;在所述半导体基板的一个表面上形成的隧穿层;在所述隧穿层表面上形成的第一导电半导体层;在所述隧穿层表面上形成的第二导电半导体层;分离部,所述分离部将第一导电半导体层与第二导电半导体层相互分离,并在与第一导电半导体层与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在所述隧穿层表面上形成;和在不具有掺杂层的第一导电半导体层、第二导电半导体层和分离部上形成的绝缘层,其中,所述分离部包括空的空间形式的沟槽。 |
地址 |
韩国首尔 |