发明名称 |
各向异性导电膜及其制备方法 |
摘要 |
各向异性导电膜具有第1连接层和在其一面形成的第2连接层。第1连接层为光聚合树脂层,第2连接层为热或光阳离子、阴离子或自由基聚合性树脂层。在第1连接层的第2连接层一侧表面,各向异性导电连接用的导电粒子以相对于第1连接层的埋入率为80%以上或1%以上且20%以下的方式排列。 |
申请公布号 |
CN105940561A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201580007303.9 |
申请日期 |
2015.02.03 |
申请人 |
迪睿合株式会社 |
发明人 |
塚尾怜司;阿久津恭志 |
分类号 |
H01R11/01(2006.01)I;B32B5/30(2006.01)I;C09J4/00(2006.01)I;C09J4/02(2006.01)I;C09J7/00(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I;C09J11/00(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I;H01B5/16(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01R43/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01R11/01(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
童春媛;鲁炜 |
主权项 |
各向异性导电膜,其具有第1连接层和在其一面形成的第2连接层,其特征在于:第1连接层为光聚合树脂层,第2连接层为热或光阳离子、阴离子或自由基聚合性树脂层,在第1连接层的第2连接层一侧表面,各向异性导电连接用的导电粒子以单层排列,且导电粒子相对于第1连接层的埋入率为80%以上或1%以上且20%以下。 |
地址 |
日本东京都 |