半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法。一种半导体器件具有包括接触焊盘的衬底。第一绝缘层形成在衬底和接触焊盘上。第一凸块下金属化（UBM）形成在第一绝缘层上并且被电连接到接触焊盘。第二绝缘层形成在第一UBM上。第二UBM在第二绝缘层被固化之后形成在第二绝缘层上。第二UBM被电连接到第一UBM。第二绝缘层在第一和第二UBM的多个部分之间并且分隔第一和第二UBM的多个部分。接触焊盘上的具有开口的光致抗蚀剂层被形成在第二UBM上。导电凸块材料被沉积在光致抗蚀剂层中的开口内。光致抗蚀剂层被除去，并且导电凸块材料被回流以形成球形凸块。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括接触焊盘的衬底；在衬底上形成第一凸块下金属化，所述第一凸块下金属化电连接到接触焊盘；在第一凸块下金属化上形成绝缘层；通过除去第一凸块下金属化的第一部分在所述绝缘层与所述衬底之间形成第一凹进；在绝缘层上形成第二凸块下金属化，第二凸块下金属化接触第一凸块下金属化并且绝缘层设置在第一凸块下金属化和第二凸块下金属化之间；以及在第二凸块下金属化上形成凸块。