| 发明名称 | 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底，采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜，再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极,并连接电压触发器，制备成本器件。本器件在室温下，存在高低两种电阻态，电阻开关现象极为明显，可通过简单的脉冲电压进行写入，通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强，结构简单、稳定、耐振动，工艺简洁、环保无污染，原材料价格低廉，易回收重复利用等优越性。 | ||
| 申请公布号 | CN103985816B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201410230353.0 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 淮阴师范学院 | 发明人 | 翟章印;姜昱丞;付浩 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人 | 陈静巧 |
| 主权项 | 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器，其特征在于：该纳米薄膜记忆电阻存储器的结构是：铁掺杂的非晶碳(a‑C:Fe)膜镀于作为衬底的绝缘石英玻璃(SiO<sub>2</sub>)基片上，铁掺杂的非晶碳膜两端镀有两个铝(Al)层，该两个铝(Al)层作为电极，电极接线连通电压触发器构成。 | ||
| 地址 | 223300 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号 | ||