发明名称 |
一种AC-LED芯片及其制造方法 |
摘要 |
一种AC‑LED芯片及其制造方法,涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层,每组N型层连接在透明导电层上,每组P型层连接在N型层上;在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层,每组P型层连接在N‑GaN层上,每组N型层连接在P型层上;在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层;在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产,后端应用不需要区分正负极,可极大提升芯片的光效,还避免了频闪的隐患,利于多芯片的联接良率的有效提升。 |
申请公布号 |
CN105938864A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201610451334.X |
申请日期 |
2016.06.22 |
申请人 |
厦门乾照光电股份有限公司 |
发明人 |
邬新根;陈凯轩;李俊贤;张永;李小平;陈亮;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 |
分类号 |
H01L33/08(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/08(2010.01)I |
代理机构 |
扬州市锦江专利事务所 32106 |
代理人 |
江平 |
主权项 |
一种AC‑LED芯片,包括衬底,在衬底上设置具有一个上台阶面和两个下台阶面的N‑GaN层,两个下台阶面对称设置在上台阶面的两侧;在N‑GaN层的上台阶面上方依次设置有源层、P‑GaN层和透明导电层;其特征在于:在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层,每组N型层连接在透明导电层上,每组P型层连接在N型层上;在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层,每组P型层连接在N‑GaN层上,每组N型层连接在P型层上;在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层;在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔岳路19号 |