发明名称 | 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法 | ||
摘要 | 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,属于稀土永磁材料制备领域。其特征是通过对高丰度稀土永磁材料进行晶界扩渗,扩渗源成份为(Nd<sub>x</sub>Pr<sub>100‑x</sub>)<sub>a</sub>(Dy<sub>y</sub>Tb<sub>100‑y</sub>)<sub>b</sub>(Al<sub>z</sub>Cu<sub>100‑z</sub>)<sub>100‑a‑b</sub>(x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a>b≥5,重量分数)。具体工艺步骤是:真空冶炼扩渗源合金,将扩渗源合金制成薄带或粉末并附着在高丰度稀土永磁体表面,随后在真空炉中,600‑900℃扩散处理1‑8小时,450‑550℃退火处理1‑5小时。本发明的优点是通过晶界扩渗少量复合中重稀土-铜铝合金,既可改善晶界相的分布提高去磁耦合作用,又可改善内禀性能,磁性能特别是矫顽力提升效果显著。 | ||
申请公布号 | CN105938757A | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
申请号 | CN201610248341.X | 申请日期 | 2016.04.20 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超;孙璐 |
分类号 | H01F41/02(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人 | 张仲波 |
主权项 | 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,其特征是对高丰度稀土永磁材料晶界扩渗复合中重稀土-铜铝合金,扩渗源成份为(Nd<sub>x</sub>Pr<sub>100‑x</sub>)<sub>a</sub>(Dy<sub>y</sub>Tb<sub>100‑y</sub>)<sub>b</sub>(Al<sub>z</sub>Cu<sub>100‑z</sub>)<sub>100‑a‑b</sub>(x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a>b≥5,重量分数);具体工艺步骤是:a.真空熔炼扩渗源合金并制成薄带或粉末;b.将扩渗源合金附着在高丰度稀土永磁体表面;c.进行真空扩渗处理;d.进行退火热处理;e.得到高性能高丰度稀土永磁体。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号 |