发明名称 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法
摘要 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,属于稀土永磁材料制备领域。其特征是通过对高丰度稀土永磁材料进行晶界扩渗,扩渗源成份为(Nd<sub>x</sub>Pr<sub>100‑x</sub>)<sub>a</sub>(Dy<sub>y</sub>Tb<sub>100‑y</sub>)<sub>b</sub>(Al<sub>z</sub>Cu<sub>100‑z</sub>)<sub>100‑a‑b</sub>(x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a&gt;b≥5,重量分数)。具体工艺步骤是:真空冶炼扩渗源合金,将扩渗源合金制成薄带或粉末并附着在高丰度稀土永磁体表面,随后在真空炉中,600‑900℃扩散处理1‑8小时,450‑550℃退火处理1‑5小时。本发明的优点是通过晶界扩渗少量复合中重稀土-铜铝合金,既可改善晶界相的分布提高去磁耦合作用,又可改善内禀性能,磁性能特别是矫顽力提升效果显著。
申请公布号 CN105938757A 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201610248341.X 申请日期 2016.04.20
申请人 北京科技大学 发明人 包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超;孙璐
分类号 H01F41/02(2006.01)I 主分类号 H01F41/02(2006.01)I
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人 张仲波
主权项 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,其特征是对高丰度稀土永磁材料晶界扩渗复合中重稀土-铜铝合金,扩渗源成份为(Nd<sub>x</sub>Pr<sub>100‑x</sub>)<sub>a</sub>(Dy<sub>y</sub>Tb<sub>100‑y</sub>)<sub>b</sub>(Al<sub>z</sub>Cu<sub>100‑z</sub>)<sub>100‑a‑b</sub>(x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a&gt;b≥5,重量分数);具体工艺步骤是:a.真空熔炼扩渗源合金并制成薄带或粉末;b.将扩渗源合金附着在高丰度稀土永磁体表面;c.进行真空扩渗处理;d.进行退火热处理;e.得到高性能高丰度稀土永磁体。
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